都柏林——（商报）--来自信息网的"薄膜沉积：趋势、关键问题、市场分析"报告已经被添加到ResearchAndMarkets.com的提议。"薄膜沉积：趋势、关键问题、市场分析"微博上这样写道本报告讨论了沉积材料和设备的技术趋势、产品、应用和供应商。它还为供应商提供对未来用户需求的见解，并应帮助他们进行长期规划、新产品开发和产品改进。介绍了薄膜沉积工具各领域的市场份额和市场预测。化学气相沉积（CVD）用于沉积各种形式的材料，包括单晶、多晶、非晶和外延。按亚型划分，主要有LPCVD（低压）、PECVD（等离子增强）和ALD。PVD沉积技术包括溅射、eBeam和热蒸发。化学气相淀积过程包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前体混合，以进行化学反应并分解源材料。该工艺使用更高压力的热，从而产生更可再生的薄膜，薄膜厚度可通过时间/功率进行管理。这些薄膜的化学计量比更高，密度更高，能够生长出更高质量的绝缘体薄膜。PVD工艺使用固体前体金属，通过一些电能气化。气化后的原子被转移到基底上。这些过程使用石英晶体速率监视器来控制薄膜的速率和厚度来管理厚度。ALD薄膜是非常共形的接近2000:1的纵横比，因此提供了极好的台阶覆盖功能。这个过程是可重复的，并且可以预测在10nm的厚度下生长更薄的层。薄膜包括氧化铝（AL2O3）、氧化铪（HfO2）和氧化钛（TiO2）。近年来，它在半导体工业中的应用迅速推动了ALD的发展，以开发出薄的、高K的栅介质层。PECVD过程提供了良好的步骤覆盖功能。薄膜包括二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）和低应力氮氧化物（SiN）薄膜。与pec相比，hpvd薄膜具有更高的沉积速率。主要主题包括：第一章引言第二章执行摘要第三章物理气相沉积3.1简介3.2溅射工艺3.3等离子技术3.4反应堆设计3.4.1长程沉积3.4.2准直溅射沉积3.4.3淋浴喷头沉积3.4.4电离PVD3.5半导体加工3.6目标第四章化学气相沉积4.1简介4.2化学气相沉积（CVD）技术4.2.1 APCVD4.2.2低压CVD4.2.3 PECVD4.2.4 HDPCVD4.2.5 ALD第五章电化学沉积5.1简介5.2反应堆设计5.3挑战5.4添加剂5.5加工5.5.1超填5.5.2纵横比5.6铜阴极5.7湿铜种子层第六章薄膜沉积与薄膜性质6.1简介6.2介质沉积6.2.1二氧化硅6.2.1.1热CVD6.2.1.2 PECVD6.2.1.3 HDPCVD6.2.2氮化硅6.2.2.1热CVD6.2.2.2 PECVD6.2.2.3 HDPCVD6.2.3高K电介质6.2.4低K电介质6.3金属沉积6.3.1铝6.3.2钨/硅化钨6.3.3氮化钛第7章供应商问题7.1简介7.2 450mm加工7.3综合处理7.4铜7.5计量7.6紧急关闭7.7参数试验第八章市场预测8.1简介8.2关键问题8.2.1互连架构8.2.1.1逻辑（MPU/ASIC）8.2.1.2存储器（闪存）8.2.2加工趋势8.2.2.1介质膜趋势8.2.2.2阻隔膜趋势8.2.2.3导体膜趋势8.2.3通过硅通孔（TSV），3d堆叠技术8.2.3.1简介通过Si技术8.2.4新兴互联解决方案8.2.4.1概述8.2.4.2铜更换8.3市场预测假设8.4市场预测8.4.1化学气相沉积8.4.2物理气相沉积8.4.3镀铜市场8.4.4原子层沉积市场有关此报告的详细信息，请访问https://www.researchandmarkets.com/r/8cjyiy资料来源：信息网